91嫩草国产天天,深爱香蕉五月,久久精品综合日国产激情亚区男同,男人的天堂人人干香蕉

全國服務(wù)熱線: 0755-26888837
簡(jiǎn)體中文
資訊動(dòng)態(tài)
聯(lián)系我們Contact Us

深圳市未來電子有限公司

辦公地址:深圳市前海深港合作去前灣一路1號(hào)A棟201

網(wǎng) 址:www.gzkzm.cn

A-mail: 26888837@mariotro.com



AVX鉭電容在使用過程中的降壓?jiǎn)栴}

文章出處:深圳市未來電子發(fā)展有限公司    作者:Admin    瀏覽次數(shù):8    發(fā)表時(shí)間:2019-11-08 23:47:32
值得咱們重視的是AVX鉭電容運(yùn)用中的壓降問題,在此咱們以AVX鉭電容的TAJ系列為例,進(jìn)行闡明如下:
1.AVX鉭電容的浪涌電壓
AVX鉭電容的浪涌電壓是指電容在很短的時(shí)刻通過最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms(CECC國家1KΩ)能接受的最高電壓。浪涌電壓,常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)刻內(nèi)可到達(dá)高達(dá)10倍額度電壓并高達(dá)30秒的時(shí)刻。浪涌電壓只作為參考參數(shù),不能用作電路規(guī)劃的根據(jù),在正常運(yùn)轉(zhuǎn)過程中,電容應(yīng)定期充電和放電。
不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的,在85度及以下溫度時(shí),分類電壓VC等于額外電壓VR,浪涌電壓VS等于額度電壓VR的1.3倍;在85到125度時(shí),分類電壓VC等于額外電壓VR的0.66倍,浪涌電壓VS等于分類電壓VC的1.3倍。
AVXAVX鉭電容能接受的電壓和電流浪涌才能是有限的,這是根據(jù)一切電解電容的一起特點(diǎn),一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過電介質(zhì),然后破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6伏的AVX鉭電容在額外電壓運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí),有一個(gè)167千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因而一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì)超越規(guī)定的浪涌電壓評(píng)級(jí)。作為AVX鉭電容負(fù)極板層運(yùn)用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈才能。但是,這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下,電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容,增加了元件的可靠性。AVX公司引薦降級(jí)表總結(jié)額外電壓運(yùn)用上常見的電壓軌道,低阻抗AVX鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí),維護(hù)電阻建議為1Ω/V.如果達(dá)不到此要求應(yīng)運(yùn)用AVX鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%.在這種情況下,可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。A系列組合應(yīng)被用來增加作業(yè)電壓的等效電容器:例如,兩個(gè)22F25V系列部分相當(dāng)于一個(gè)11F50V的一部分。
AVX鉭電容
2.AVX鉭電容的反向電壓
AVXAVX鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)厲的約束的,具體如下:
在1.0V25C條件下最大為10%的額外直流作業(yè)電壓在0.5V85C條件下最大為3%的額外直流作業(yè)電壓在0.1V125℃條件下最大為1%的額外直流作業(yè)電壓反向電壓值均以AVX鉭電容在任何時(shí)刻上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些約束是假定AVX鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向作業(yè)壽數(shù)。他們的目的是包括短期反轉(zhuǎn)如發(fā)生在開關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)形象深刻的波形的一小部分。接連施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化,將導(dǎo)致漏電流增大。
在在何種情況下接連反向使用電壓可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)相似的電容應(yīng)選用與負(fù)端接背回裝備連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱電容的電容的一半無論是電容。在孤立的脈沖條件或在開始幾個(gè)周期內(nèi),電容可能的辦法完整的標(biāo)稱值。反向電壓等級(jí)的規(guī)劃蓋小等級(jí)游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引證的值是不計(jì)劃覆蓋接連的反向操作。
3.AVX鉭電容的疊加溝通電壓(Vr.m.s.)------又稱紋波電壓
這是最大的r.m.s.溝通電壓;疊加一個(gè)特區(qū)電壓,可使用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超越該類別電壓。
4.AVX鉭電容的成型電壓
這是在陽極氧化構(gòu)成的電壓。這個(gè)氧化層的厚度是構(gòu)成電壓成正比一個(gè)電容器,并在設(shè)置額外電壓的一個(gè)要素。